Доцент Литературного института им. Горького.


Красников Геннадий Николаевич родился 30 августа 1951 года на Южном Урале в городе Новотроицке Оренбургской области. С 14 лет пошёл работать. Учился в вечерней школе с 9 по 11 класс. Окончил факультет журналистики Московского университета (1974 г.). Работал корреспондентом районной газеты в городе Озёры Московской области. Около 20 лет работал редактором всесоюзного альманаха «Поэзия» (вместе с известным поэтом-фронтовиком Николаем Старшиновым). За это время им было подготовлено и издано более 30 номеров альманаха (№№ 26 – 59, выпуски №60, 61, 62 были подготовлены, но выйти не смогли по причине наступивших «экономических реформ»), в которых были опубликованы лучшие произведения современных известных и молодых российских поэтов, критиков, а также национальных поэтов автономных и союзных республик.

В эти годы в альманахе «Поэзия» впервые были напечатаны многие ранее неопубликованные по цензурным соображениям произведения Марины Цветаевой, Максимилиана Волошина, Николая Глазкова, Дмитрия Кедрина, Тэффи, Владислава Ходасевича, Осипа Мандельштама, Бориса Савинкова, Ярослава Смелякова, Леонида Мартынова, Веры Звягинцевой, Александра Солодовникова, Николая Тряпкина, Николая Рубцова, Алексея Прасолова, Константина Левина, Михаила Анчарова, Ивана Елагина, Анатолия Жигулина, Глеба Горбовского, Владимира Микушевича, Глеба Арсеньева, Юрия Кублановского, Леонида Губанова, Ивана Жданова, Евгения Витковского и других.

Особое внимание на страницах издания уделялось поэзии участников Великой Отечественной войны, в альманахе печатались стихи поэтов фронтового поколения - Юлии Друниной, Евгения Винокурова, Александра Межирова, Николая Панченко, Константина Левина, Михаила Львова, Сергея Наровчатова, Семёна Гудзенко, Александра Николаева, Константина Ваншенкина, Александра Яшина, Юрия Белаша и многих других.

Благодаря дебютным публикациям в альманахе «Поэзия» в большую литературу вошли несколько поколений замечательных молодых поэтов, среди которых Николай Дмитриев, Мария Аввакумова, Александр Щуплов, Сергей Мнацаканян, Марина Кудимова, Евгений Блажеевский, Нина Искренко, Денис Новиков, Иван Жданов, Геннадий Калашников, Владимир Урусов, Александр Бобров, Татьяна Бек, Олеся Николаева, Григорий Калюжный и др.

Геннадий Красников является известным поэтом, литературным критиком, эссеистом и публицистом. Его первые поэтические публикации появились в центральной печати сорок лет назад. Стихи Г. Красникова публиковались в престижных русских и зарубежных антологиях, таких как «Строфы века» (1999), «Русская поэзия. ХХ век» (1999, 2001), «Русская поэзия. ХХI век» (2010), «Ты припомни, Россия, как всё это было!..» (2010), «Молитвы русских поэтов. ХХ - ХХI век» (2011, второе издание 2013) и многих других.
Автор шести поэтических сборников («Птичьи светофоры», «Пока вы любите…», «Крик», «Не убий!..», «Голые глаза», «Кто с любовью придёт»), а также книг литературной критики и эссеистики («Роковая зацепка за жизнь Или в поисках утраченного Неба» /2002/ и «В минуты роковые. Культура в зеркале русской истории» /2011/).

О творчестве Геннадия Красникова писали известные поэты и критики – Евгений Винокуров, Николай Старшинов, Евгений Евтушенко (автор предисловия к первой книге Красникова), Владимир Костров, Юлия Друнина, Игорь Шкляревский, Василий Казанцев, Вадим Шефнер и др.

Лауреат многих литературных премий, в том числе премии им. А. М. Горького, им. Бориса Полевого (журнал «Юность»), премий газеты «Литературная Россия», журнала «Москва», «Горьковской литературной премии» (Российский фонд культуры, журнал «Литературная учёба»), Всероссийской литературной премии «Капитанская дочка» - «За многолетнюю работу по сохранению пушкинской традиции русской поэзии и популяризацию лучших поэтических образцов современной отечественной поэзии»

    - (р. 1958), учёный в области микроэлектроники, член корреспондент РАН (1997). Труды по созданию сверхбольших интегральных схем (СБИС) и обеспечению качества их изготовления. * * * КРАСНИКОВ Геннадий Яковлевич КРАСНИКОВ Геннадий Яковлевич (р. 1958) … Энциклопедический словарь

    - (р. 1958), учёный в области микроэлектроники, член корреспондент РАН (1997). Труды по созданию сверхбольших интегральных схем (СБИС) и обеспечению качества их изготовления … Большой Энциклопедический словарь

    Геннадий Яковлевич Красников (родился 30 апреля 1958 года в городе Тамбове) академик РАН, доктор технических наук, профессор, генеральный директор ОАО «НИИ молекулярной электроники и завод „Микрон“», руководитель бизнес направления… … Википедия

    Геннадий Красников: Красников, Геннадий Николаевич (род. 1951) российский поэт Красников, Геннадий Яковлевич (род. 1958) российский учёный в области информатики, академик РАН … Википедия

    - … Википедия

    Красников русская фамилия. Известные носители Красников, Александр Николаевич российский религиовед. Красников, Геннадий Николаевич русский поэт. Красников, Геннадий Яковлевич академик РАН. Красников, Николай… … Википедия

    Красников Г. Я. - КРÁСНИКОВ Геннадий Яковлевич (р. 1958), учёный в области микроэлектроники, ч. к. РАН (1997). Тр. по созданию сверхбольших интегральных схем (СБИС) и обеспечению качества их изготовления … Биографический словарь

    Указом Президента Российской Федерации от 8 ноября 2001 г. № 1301 образован Совет при Президенте Российской Федерации по науке и высоким технологиям, утверждены Положение о Совете и его состав. Указом Президента Российской Федерации от 30 августа … Википедия

    Полный список действительных членов Академии наук (Петербургской Академии наук, Императорской Академии наук, Императорской Санкт Петербургской Академии Наук, Академии наук СССР, Российской академии наук). # А Б В Г Д Е Ё Ж З … Википедия

    Новое здание Президиума РАН Членами Российской академии наук являются действительные члены РАН (академики) и члены корреспонденты РАН. Главная обязанность членов Российской академии наук состоит в том, чтобы обогащать науку новыми достижениями.… … Википедия

Книги

  • Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов , Красников Геннадий Яковлевич. В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к…

В 1990 году защитил кандидатскую диссертацию.

В 1996 году защитил докторскую диссертацию.

В 1997 году избран членом-корреспондентом РАН по Отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации (вычислительная техника и элементная база).

В 1998 году присвоено звание профессора.

Доктор технических наук, профессор.

В 2008 году избран академиком РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника).

В 1981 году работал освобожденным секретарем комитета ВЛКСМ НИИМЭ и завода «Микрон» .

В 1983 году получил должность ведущего инженера лаборатории.

В 1984 году назначен начальником цеха завода «Микрон» .

В 1987 году стал заместителем главного инженера предприятия «Микрон» .

В 1988 году занял должность заместителя директора по производству, коммерческого директора завода «Микрон».

1998: Гендиректор «Концерн Научный Центр»

С 1998 года по 2000 год в должности генерального директора руководил ОАО «Концерн Научный Центр».

2000: Председатель СД «Концерн Научный Центр»

В 2000 году стал официальным директором и одновременно председателем Cовета директоров ОАО «Концерн Научный Центр».

В 2003 году получил должность генерального конструктора, научного руководителя ОАО «Концерн Научный Центр» (в 2004 г. переименован в ОАО «СИТРОНИКС»).

2005: Гендиректор «НИИМЭ и Микрон»

В 2005 году стал генеральным директором ОАО «НИИМЭ и Микрон» , вице-президентом ОАО «СИТРОНИКС» , руководителем бизнес-направления «Микроэлектроника » ОАО «СИТРОНИКС» .

2016: Председатель СД «Микрон»

В апреле 2016 года Совет директоров ОАО «НИИМЭ и Микрон» своим решением назначил Гульнару Хасьянову генеральным директором «Микрона». Геннадий Красников занял должность председателя Совета директоров компании. Он также продолжает работать на должности генерального директора АО «НИИ молекулярной электроники ». Будучи генеральным директором АО «НИИ молекулярной электроники», Красников занимается развитием научной школы в области исследований и разработки технологий создания интегральных микросхем.

Доля в акционерном капитале

С 29 июля 2009 года доля Красникова в капитале ОАО «СИТРОНИКС» увеличилась в результате опционной программы до 1,824% (ранее 1,726%).

На 4 апреля 2018 года Геннадий Яковлевич Красников работает на должности руководителя бизнес-направления «Ситроникс Микроэлектроника » концерна ОАО «Ситроникс », генеральным конструктором ОАО «НИИМЭ и Микрон» , генеральный директор ОАО «НИИМЭ» .

Достижения

В 2007 году вошел в состав Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию .

С 2010 г. - член Консультативного научного Совета Фонда «Сколково» .

Член Совета руководителей EMEA Leadership Council Глобального альянса производителей полупроводников (GSA).

Учредитель Некоммерческой организации «Фонд содействия развитию международного сотрудничества» .

Член редакционных коллегий журналов «Микроэлектроника » и «Электроника: наука , технология, бизнес».

В феврале 2012 года Геннадий Красников кандидата в президенты Владимира Путина .

Заведующий кафедрой субмикронной технологии СБИС Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МИЭТ» .

Член Попечительского совета Алфёровского фонда .

Член Совета некоммерческой организации «Фонд развития Центра разработки и коммерциализации новых технологий», утвержденной в рамках проекта по созданию иннограда Сколково .

Членство в РАН

С 30 мая 1997 г. - Член-корреспондент РАН (Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (специальность - Вычислительная техника и элементная база).

С 29 мая 2008 г. - Академик РАН (Отделение нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника).

Общественная деятельность

Член Жюри на Собрании партнеров международного конкурса деловой журналистики «Pressвание», которое состоится в Общественной палата РФ 5 марта 2013 года .

Научная деятельность

Сфера научной деятельности: разработка и создание сверхбольших интегральных схем (СБИС), системная интеграция маршрутов их проектирования и изготовления на основе общих физико-технологических принципов, обеспечивающих унификацию этих технологий .

Экперт в области микро- и наноэлектроники, разработки конструктивно-технологического базиса компонентов вычислительной техники, создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемы обеспечения качества их промышленного производства.

Геннадием Красниковым создан комплекс оригинальных научно-обоснованных технических решений, охватывающих весь технологический маршрут изготовления КМОП микросхем, являющихся основой современной теории формирования элементной базы СБИС, где определены закономерности возникновения и поведения фоновых примесей, как по границам компонентов систем «металл-окисел-кремний», так и по всей системе в целом при изготовлении микросхем с минимальными топологическими размерами от 180 нм до 65 нм. Сформирована современная теория стабилизации электрических параметров интегральных схем .

Публикации

Автор 279 научных работ, 36 изобретений и разработок в области разработки микросхем – элементной базы современной вычислительной техники и электроники, 3 монографий. Научные работы посвящены созданию сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемам обеспечения качества их промышленного производства.

Монографии:

  • «Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов» (М.: Техносфера. В 2 т., 2002-2004);

Патенты

1) Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий - изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении приборов вакуумной микроэлектроники;

2) Состав газовой смеси для формирования нитрид танталового металлического затвора методом плазмохимического травления - изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии;

3) Способ химико-динамической полировки - изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений;

4) Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС - изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем;

5) Способ изготовления структуры кремния на изоляторе - изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе;

6) Способ получения гранул кремния высокой чистоты - изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов;

7) Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов - изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к полевым эмиссионным элементам с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов: к триодам, к диодам и к устройствам на их основе, полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов;

8) Способ получения кремния высокой чистоты - изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов;

9) Вакуумный интегральный микроэлектронный прибор и способ его изготовления - изобретение относится к вакуумным интегральным микроэлектронным приборам с катодами вертикального типа и обратным расположением электродов относительно подложки и устройствам на их основе: вакуумным интегральным схемам, вакуумным микроэлектронным переключателям токов, полевым эмиссионным дисплеям;

10) Матрица полевых эмиссионных катодов с затворами (варианты) и способ ее изготовления - изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к матрицам полевых эмиссионных катодов с затворами и устройствам на их основе: полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов .

Награды и звания

  • Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008).
  • Орден Почёта и Орден Дружбы (2014).
  • Лауреат Государственной премии РФ в области науки и технологий (2014)
  • Дважды лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники (1999 и 2009 годы).

1997 г. - награжден медалью «В память 850-летия Москвы» .

1996 г. - удостоен Серебряной медали Международного салона изобретений «Eureka - Brussel"96».

1997 г. - удостоен Золотой и Серебряной медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel"97».

2000 г. - удостоен 4-х Серебряных медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel"2000» .

В 1979 году, на 4-м курсе, он готовит свои первые научные работы. Выступая за МИЭТ, не раз занимает первые места на Всероссийских студенческих конференциях

Красников Геннадий Яковлевич - руководитель бизнес-направления «Ситроникс Микроэлектроника» концерна ОАО «Ситроникс», генеральный конструктор ОАО «НИИМЭ и Микрон», генеральный директор ОАО «НИИМЭ».

Доля в акционерном капитале

С 29 июля 2009 года доля Красникова в капитале ОАО «СИТРОНИКС» увеличилась в результате опционной программы до 1,824% (ранее 1,726%).

Биография

Образование

1981 г. - окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники по специальности «Автоматика и электроника» .

Научная степень, ученое звание

Доктор технических наук, профессор.

1990 г. - защитил кандидатскую диссертацию.

1996 г. - защитил докторскую диссертацию.

1998 г. - было присвоено звание профессора.

Карьера

Декабрь 1981 г. - избрали освобожденным секретарем комитета комсомола НИИМЭ и завода «Микрон».

1983 г. - занял по предложению директора НИИ должность ведущего инженера вновь созданной лаборатории, выполнявшей сложные научные задачи.

1984 г. - был назначен начальником ведущего цеха завода «Микрон».

1987 г. - становится заместителем главного инженера «Микрона».

1988 г. - становится заместителем директора по производству, коммерческим директором завода «Микрон».

Именно благодаря его инициативе с помощью чековых аукционов и консолидации акций физических лиц удалось вернуть к жизни ОАО «Концерн Научный Центр».

1998 г. - возглавил ОАО «Концерн Научный Центр», практически на нештатной основе, в качестве генерального директора.

2000 г. - оставив место на «Микроне», становится официальным директором и одновременно председателем Cовета директоров ОАО «Концерн Научный Центр».

С 2003 г. - генеральный конструктор, научный руководитель ОАО «Концерн Научный Центр» (в 2004 г. переименован в ОАО «СИТРОНИКС»).

С 2005 г. - генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон», вице-президент ОАО «СИТРОНИКС», руководитель бизнес-направления «Микроэлектроника» ОАО «СИТРОНИКС».

9 января 2007 г. - вошел в состав Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию .

С 2010 г. - член Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».

Член Совета руководителей EMEA Leadership Council Глобального альянса производителей полупроводников (GSA).

Учредитель Некоммерческой организации «Фонд содействия развитию международного сотрудничества» .

Член редакционных коллегий журналов «Микроэлектроника» и «Электроника: наука, технология, бизнес».

Член Совета при Президенте РФ по науке, технологиям и образованию, Совета генеральных и главных конструкторов при Правительстве РФ, Совета по нанотехнологиям при Комитете Государственной Думы РФ по науке и наукоемким технологиям, Совета по научной и технической политике при Министерстве обороны России.

В феврале 2012 года Геннадий Красников стал доверенным лицом кандидата в президенты Владимира Путина.

Заведующий кафедрой субмикронной технологии СБИС Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МИЭТ» .

Член Попечительского совета Алфёровского фонда .

Член Совета некоммерческой организации «Фонд развития Центра разработки и коммерциализации новых технологий», утвержденной в рамках проекта по созданию иннограда Сколково .

Генеральный директор ОАО «НИИМЭ» и генеральный конструктор «Микрона», академик РАН Г.Я. Красников вошел в состав Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию по Указу Президента Российской Федерации от 25 октября 2013 года (Указ Президента Российской Федерации № 803 об Утверждении состава Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию и президиума Совета). Совет является совещательным органом при Президенте Российской Федерации, образованным в целях обеспечения взаимодействия федеральных органов государственной власти, органов государственной власти субъектов Российской Федерации, органов местного самоуправления, общественных объединений, научных и образовательных организаций при рассмотрении вопросов, связанных с развитием науки и образования, а также в целях выработки предложений Президенту Российской Федерации по актуальным вопросам государственной политики в области научно-технического развития и образования.

Членство в РАН

С 30 мая 1997 г. - Член-корреспондент РАН (Отделение информатики, вычислительной техники и автоматизации (специальность - Вычислительная техника и элементная база).

С 29 мая 2008 г. - Академик РАН (Отделение нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника).

Общественная деятельность

Член Жюри на Собрании партнеров международного конкурса деловой журналистики «Pressвание», которое состоится в Общественной палата РФ 5 марта 2013 года .

Научная деятельность

Сфера научной деятельности: разработка и создание сверхбольших интегральных схем (СБИС), системная интеграция маршрутов их проектирования и изготовления на основе общих физико-технологических принципов, обеспечивающих унификацию этих технологий .

Экперт в области микро- и наноэлектроники, разработки конструктивно-технологического базиса компонентов вычислительной техники, создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемы обеспечения качества их промышленного производства.

Геннадием Красниковым был создан комплекс оригинальных научно-обоснованных технических решений, охватывающих весь технологический маршрут изготовления КМОП микросхем, являющихся основой современной теории формирования элементной базы СБИС, где определены закономерности возникновения и поведения фоновых примесей, как по границам компонентов систем «металл-окисел-кремний», так и по всей системе в целом при изготовлении микросхем с минимальными топологическими размерами от 180 нм до 65 нм. Сформирована современная теория стабилизации электрических параметров интегральных схем .

Публикации

Автор 279 научных работ, 36 изобретений и разработок в области разработки микросхем – элементной базы современной вычислительной техники и электроники, 3 монографий. Научные работы посвящены созданию сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблемам обеспечения качества их промышленного производства.

Монографии:

  • «Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов» (М.: Техносфера. В 2 т., 2002-2004);
  • «Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС» (в соавторстве с Н.А. Зайцевым, М.: Техносфера, 2003) и другие .

Патенты

1) Структура и способ изготовления интегральных автоэмиссионных элементов с эмиттерами на основе наноалмазных покрытий - изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении приборов вакуумной микроэлектроники;

2) Состав газовой смеси для формирования нитрид танталового металлического затвора методом плазмохимического травления - изобретение относится к технологии полупроводникового производства, в частности к формированию затворов в КМОП технологии;

3) Способ химико-динамической полировки - изобретение относится к проблемам химико-динамической полировки материала и может быть использовано для обработки металла, диэлектрика, полупроводника и их соединений;

4) Способ изготовления медной многоуровневой металлизации СБИС - изобретение относится к технологии изготовления многоуровневой металлизации интегральных схем;

5) Способ изготовления структуры кремния на изоляторе - изобретение относится к методу изготовления пленок монокристаллического кремния на изоляторе;

6) Способ получения гранул кремния высокой чистоты - изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов;

7) Структура и способ изготовления полевых эмиссионных элементов с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов - изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к полевым эмиссионным элементам с углеродными нанотрубками, используемыми в качестве катодов: к триодам, к диодам и к устройствам на их основе, полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов;

8) Способ получения кремния высокой чистоты - изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов;

9) Вакуумный интегральный микроэлектронный прибор и способ его изготовления - изобретение относится к вакуумным интегральным микроэлектронным приборам с катодами вертикального типа и обратным расположением электродов относительно подложки и устройствам на их основе: вакуумным интегральным схемам, вакуумным микроэлектронным переключателям токов, полевым эмиссионным дисплеям;

10) Матрица полевых эмиссионных катодов с затворами (варианты) и способ ее изготовления - изобретение относится к приборам вакуумной микроэлектроники, в частности к матрицам полевых эмиссионных катодов с затворами и устройствам на их основе: полевым эмиссионным дисплеям, вакуумным микроэлектронным переключателям токов .

Награды и звания

Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008).

Орден Почёта и Орден Дружбы (2014).

Лауреат Государственной премии РФ в области науки и технологий (2014)

Дважды лауреат премии Правительства РФ в области науки и техники (1999 и 2009 годы).

1997 г. - награжден медалью «В память 850-летия Москвы» .

1996 г. - удостоен Серебряной медали Международного салона изобретений «Eureka - Brussel"96».

1997 г. - удостоен Золотой и Серебряной медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel"97».

2000 г. - удостоен 4-х Серебряных медалей Международного салона изобретений «Eureka - Brussel"2000» .

В 1979 году, на 4-м курсе, он готовит свои первые научные работы. Выступая за МИЭТ, не раз занимает первые места на Всероссийских студенческих конференциях .

Увлечения

Увлекается фотографией, коллекционирует редкие фотоаппараты .

Семейное положение

Супруга – Красникова Светлана Анатольевна (1963 г. рожд.).

Сын – Красников Андрей Геннадьевич (1986 г. рожд.), магистрант Московского государственного института электронной техники.

Дочь – Полина (2003 г. рожд.).

Примечания

  1. Правление ОАО "Ситроникс"
  2. 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 Международный Объединенный Биографический Центр
  3. Некоммерческая организация «Фонд содействия развитию международного сотрудничества»
  4. Об университете: Люди - Красников Геннадий Яковлевич
  5. 5,0 5,1 5,2 5,3 Информационная система: «Архивы Российской академии наук»
  6. Попечительский совет Алфёровского фонда
  7. Геннадий Красников вошел в Совет Фонда развития иннограда Сколково
  8. Управление проектом «Pressвание» - Жюри
  9. Патенты автора - Красников Геннадий Яковлевич

Академик РАН, Председатель Совета директоров ПАО «Микрон», Генеральный директор АО «НИИМЭ», доктор технических наук, профессор.








Академик РАН, Председатель Совета директоров ПАО «Микрон», Генеральный директор АО «НИИМЭ», доктор технических наук, профессор.

Выпускник физико-технического факультета Московского института электронной техники 1981 года.
C 1981 года (последовательно) инженер, ведущий инженер, начальник модуля, начальник цеха, заместитель генерального директора,
С 1991 года - генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон», генеральный директор ОАО «НИИМЭ» (с 2011 года выделен в отдельное дочернее предприятие).
В 1999-2003гг - генеральный директор Концерна «Научный центр»
В 2005-2012гг - руководитель бизнес-направления «Микроэлектронные решения» в ОАО «Ситроникс».
Член-корреспондент РАН (1997), академик РАН (2008) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий, почетный доктор Академического университета РАН (2015), действительный член российской Академии инженерных наук им. А.М. Прохорова.
Автор и соавтор более 300 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов.
Руководитель межведомственного Совета главных конструкторов по электронной компонентной базе РФ, состоял в Совете при Президенте Российской Федерации по науке и образованию, член Консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково», председатель научного Совета РАН «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения», сопредседатель экспертного Совета по инновационной деятельности и внедрению наукоемких технологий Государственной Думы Российской Федерации, член 2-х экспертных советов по присуждению премии Правительства РФ в области науки и техники, входит в состав Совета руководителей EMEA Leadership Council - Глобального альянса производителей полупроводников (GSA).
Возглавляет базовую кафедру «микро и наноэлектроники» в Московском физико-техническом институте (ГУ) и базовую кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники.
Главный редактор журнала "Электронная техника. Серия "Микроэлектроника", член редколлегии журналов «Микроэлектроника», «Электроника. Наука. Технология. Бизнес», «Нано- и микросистемная техника».
Награжден орденом Почёта (1999), орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008), орденом Дружбы (2014), Государственной премией Российской Федерации (2014), двумя премиями Правительства РФ в области науки и техники (1999, 2009), медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» (2016).


Генеральный директор ПАО «Микрон»









Генеральный директор ПАО «Микрон»

В 1992 г. окончила Московский Технический Университет связи и информатики МТУСИ по специальности «Экономика и управление в связи», инженер-экономист. В 1996 г. окончила программу повышения квалификации для руководящих работников отрасли связи Duke University. В 1997-2002 гг. прошла стажировку в компаниях: «Deutsche Telecom», «France Telecom», «Telstra». В 2015 г. окончила НИУ «Высшая школа экономики». Прошла профессиональную переподготовку по программе «Маркетинг и производство в цифровых медиа. Advanced». Кандидат экономических наук.
1992-2003 - специалист по маркетингу, начальник отдела маркетинга, начальник отдела маркетинга и ценных бумаг, начальник отдела развития бизнеса в ОАО «Ростелеком», филиал «Московский междугородный и международный телефон».
2003-2005 - начальник управления маркетинга, заместитель Коммерческого директора, заместитель Генерального директора - Коммерческий директор ОАО «Ростелеком». 2005-2007 - Заместитель Генерального директора по коммерческой деятельности ОАО «Межрегиональный Транзит Телеком».
2007-2011 - Генеральный директор ЗАО «Скай Линк».
2011-н.вр. - Исполнительный директор Союза операторов мобильной связи ЛТЕ.
2014-2016 - Президент ОАО «Система Масс-Медиа».
С января 2016 г. - Председатель Совета директоров ОАО «Система Масс-Медиа».
Январь-апрель 2016 г. - Назначена первым заместителем Генерального директора ОАО «НИИМЭ и Микрон».
27 апреля 2016 г. - Назначена Генеральным директором ПАО "Микрон".

Лауреат ряда отраслевых рейтингов «Топ-1000 российских менеджеров» Ассоциации менеджеров России (ТОП-3 2008), рейтинга ведущих менеджеров ИКТ-отрасли-2008 (ТОП-50 Агентства политических и экономических коммуникаций АПЭК), Рейтинг «Эхо Москвы» 100 самых влиятельных женщин России (2011), самых влиятельных деловых женщин России (ТОП-50 журнала «Финанс» (2008, 2010гг.), ТОП-100 журнала «Компания» (ИД Родионова, 2010г.), «200 самых профессиональных коммерческих директоров России-2003» (ТОП-20), «100 самых профессиональных карьер в бизнесе и власти» Ассоциации менеджеров России и газеты «КоммерсантЪ» (2000-2004 гг.) и др.

Первый заместитель генерального директора - операционный директор ПАО «Микрон»











Первый заместитель генерального директора - операционный директор ПАО «Микрон»

Родился 10 июля 1976 года в п. Серышево Серышевского района Амурской области.
В 1998 году окончил Военно-воздушную инженерную академию им. профессора Н.Е. Жуковского по специальности «Автоматизированные системы управления», инженер электронной техники.
С августа 1993 года по июнь 1999 года служил в вооруженных силах РФ.
Трудовую деятельность начал в октябре 1999 года инженером – программистом ЗАО «Телмос», с ноября 2002 года по июнь 2007 года работал специалистом по разработке ПО, системным архитектором, руководителем группы, начальником отдела ОАО «ВымпелКом».
С июня 2007 года по декабрь 2008 – директор по информационным технологиям ЗАО «Скай Линк».
С декабря 2008 года по апрель 2016 года последовательно занимал должности руководителя ряда крупных компаний телекоммуникации и связи:
12.2008 - 02.2010 Генеральный директор, зам. генерального директора – директор филиала ЗАО «Астарта»
02.2010 - 04.2011 Генеральный директор ОАО «Московская Сотовая Связь»
06.2011 - 08.2012 Региональный директор ОАО «Вымпел- Коммуникации»

09.2012 - 05.2014 Генеральный директор «Амедиа ТВ»
05.2014 - 02.2015 Генеральный директор «МТС - Спутниковое ТВ»
02.2015 - 04.2016 Председатель Совета Директоров «Орион Экспресс»
В апреле 2016 года назначен на должность первого заместителя генерального директора – операционного директора ОАО «НИИМЭ и Микрон».

Заместитель генерального директора по развитию бизнеса ПАО «Микрон»

Родился 17 февраля 1967 года.








Заместитель генерального директора по развитию бизнеса ПАО «Микрон»

Родился 17 февраля 1967 года.
В 1988 году окончил Московский институт инженеров железнодорожного транспорта по специальности «Автоматика, телемеханика и связь на железнодорожном транспорте», инженер путей сообщения – электрик.
1988 – 1991гг. Инженер – наладчик Специализированного строительно-монтажного поезда
1991 – 2000гг. Инженер по измерениям и защите, начальник линейно-технического цеха, главный инженер, первый заместитель директора Воскресенского узла электросвязи – филиала ОАО «Электросвязь» Московской области
2000 – 2001гг. Директор по развитию бизнеса в России компании «Шмид Телеком»
2001 –2003гг. Начальник отдела, директор Департамента комплексных продаж ОАО «Российская телекоммуникационная сеть»
2003 – 2012гг. Директор, заместитель генерального директора Центрального филиала ОАО «Ростелеком», первый заместитель генерального директора, старший вице – президент ОАО «Ростелеком»
2012 – 2012гг. Генеральный директор ООО «ИН-ИНФОКОМ»
2015 – 2016гг. Исполнительный директор ООО «Телеком – Защита»
В мае 2016 года назначен заместителем генерального директора по развитию бизнеса ОАО «НИИМЭ и Микрон».


Заместитель генерального директора по производству ПАО «Микрон»







Заместитель генерального директора по производству ПАО «Микрон»

Родился 24 мая 1975 года в г. Тамбове.
Образование высшее, в 1997 году окончил Московский государственный институт электронной техники (ТУ) по специальности «Конструирование и технология электронно-вычислительных устройств», инженер.
Трудовую деятельность в ОАО «НИИМЭ и Микрон» начал в 1997 году молодым специалистом после окончания института. Работал инженером-технологом, заместителем начальника цеха, начальником цеха.
С марта 2005 по октябрь 2005 года занимал должность директора производства кристаллов
В октябре 2005 года в связи с реорганизацией производства назначен на должность начальника цеха, которую занимал до октября 2009 года.
С октября 2009 года по май 2016 года занимал должность начальника производства кристаллов.
В мае 2016 года назначен заместителем генерального директора по производству.


Заместитель Генерального директора по финансам и инвестициям ПАО «Микрон»

Родился 8 февраля 1973.

Заместитель Генерального директора по финансам и инвестициям ПАО «Микрон»

Родился 8 февраля 1973.
В 1995 окончил факультет автоматизации и информатики Липецкого государственного технического университета. В 1999г. - Липецкий филиал Всероссийского заочного финансово-экономического института, специальность экономист.
Ранее работал на Новолипецком металлургическом комбинате и в одном из бизнесов ГК Ренова на руководящих должностях в финансовых службах компаний. За высокие достижения награжден высшими корпоративными наградами. В 2014-2015 году являлся Исполнительным вице-президентом RFP group, г. Хабаровск. С 02.2017 назначен на должность заместителя Генерального директора по финансам и инвестициям ПАО «Микрон».


Заместитель генерального директора по управлению коммуникациями ПАО «Микрон»