Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) был сотворен в 1982 г сотрудниками исследовательского отдела компании IBM Г. Биннигом и Х. Рёрером. Он открыл очень перспективные способности научных и прикладных исследовательских работ в области нанотехники и явился первым техническим устройством, при помощи которого была осуществлена приятная визуализация атомов и молекул. За создание СТМ Г. Бинниг и Х. Рёрер в 1986 году были удостоены Нобелевской премии по физике.

Механизм работы СТМ заключается в последующем: к поверхности проводящего эталона на свойственное межатомное расстояние , составляющее толики нанометра, подводится очень тонкое железное острие (игла). При приложении меж прототипом и иглой разности потенциалов ~ 0,11В в цепи (рис.4.13) возникает ток, обусловленный туннелированием электронов через зазор меж ними.

Туннельный ток составляет ~110нА, т.е. имеет величину, которую полностью можно измерить экспериментально.

Так как возможность туннелирования через возможный барьер экспоненциально находится в зависимости от ширины барьера, то туннельный ток при увеличении зазора меж иглой и поверхностью эталона Z убывает по экспоненте и миниатюризируется приблизительно на порядок при увеличении Z на каждые 0,1 нм. Экспоненциальная зависимость туннельного тока от расстояния обеспечивает очень высшую разрешающую способность СТМ.

Повдоль оси Z, перпендикулярной к поверхности эталона, разрешающая способность СТМ составляет ~ нм, а повдоль осей X,Y, параллельных поверхности эталона, ~ нм. Перемещая иглу СТМ повдоль поверхности эталона, т.е. осуществляя сканирование поверхности, можно получать информацию о рельефе поверхности с атомным пространственным разрешением.

Есть два варианта режима работы СТМ: режим неизменной высоты и режим неизменного тока. При работе в режиме неизменной высоты острие иглы перемещается в горизонтальной плоскости над исследуемой поверхностью (рис. 4.3а). Туннельный ток при всем этом меняется и по этим изменениям просто может быть определен рельеф поверхности эталона.

При работе в режиме неизменного тока (рис. 4.3б) употребляется система оборотной связи, которая поддерживает неизменным туннельный ток за счет перемещения острия иглы в вертикальном направлении. В данном случае информация о рельефе поверхности выходит на основании данных о перемещении иглы.

Общая схема СТМ приведена на рис. 4.4.

При помощи системы грубого подвода и позиционирования игла СТМ подводится к исследуемой поверхности на расстояние ~ 0,1 мкм. Предстоящее перемещение иглы и исследование поверхности проводится при помощи специального сканирующего устройства. Это устройство сделано из пьезоэлектрика, т.е. вещества, способного изменять свои линейные размеры при приложении к нему электронного поля, и позволяет перемещать иглу СТМ над поверхностью эталона с очень высочайшей точностью.

Одним из более принципиальных узлов СТМ является игла (острие), в качестве которой употребляется узкая проволока из вольфрама, ванадия либо другого проводящего материала. Для улучшения черт кончика острия его подвергают химическому травлению. Опыты демонстрируют, что травление острия с радиусом кончика мкм фактически обеспечивает разрешение на атомном уровне.

Управление движением сканирующего устройства и контроль за работой системы оборотной связи осуществляется компом. С его помощью проводится запись результатов измерения, их обработка и визуализация исследуемой поверхности. Обычные результаты исследовательских работ, выполненные при помощи СТМ, приведены на рис. 4.16, на котором представлены изображения молекул , адсорбированных на поверхности кристалла меди. Размеры по осям приведены в ангстремах (м).

Принципиально отметить, что СТМ, в отличие от других электрических микроскопов, не содержит линз и, как следует, получаемое в нем изображение не искажается из-за аберраций. Не считая того, энергия электронов, формирующих изображение в СТМ, не превосходит нескольких электронвольт, т.е. оказывается меньше соответствующей энергии хим связи, что обеспечивает возможность неразрушающего контроля исследуемого эталона. Напомним, что в электрической микроскопии высочайшего разрешения энергия электронов добивается сотен килоэлектронвольт, что приводит к образованию радиационных изъянов.

В текущее время перспективны последующие области внедрения СТМ:

  • физика и химия поверхности на атомном уровне;
  • нанометрия — исследование с нанометровым разрешением шероховатости поверхности, процессов зародышеобразования при росте пленок, процессов хим либо ионного травления, осаждения и т.д.;
  • нанотехнология — исследование и изготовка приборных структур нанометрового размера;
  • исследование макромолекул, вирусов и других био структур.

На рисунке 4.6 представлено изображение «квантового кораллового рифа” поперечником 14,3 нм, сформированного атомами Fe на кристалле Cu.

Рис. 4.6 Двумерная квантовая яма (электрические потенциальные поверхности).

Необходимо подчеркнуть, что способности СТМ выходят далековато за рамки чисто микроскопичных задач. С его помощью, к примеру, можно вынудить атомы передвигаться повдоль поверхности и собирать из их искусственные структуры нанометровых размеров.

Рис. 4.7 Микро-механическая сборка в СТМ (молекулы СО на платине).

Рис. 4.8 Микро-механическая сборка в СТМ (атомы ксенона на никеле).

Такие способности СТМ делают его многообещающим инвентарем при разработке и разработке нанотехники грядущего поколения, к примеру, квантового компьютера . Сканирующий туннельный микроскоп явился макетом целого семейства более совершенных сканирующих микроскопов.

На базе СТМ был сотворен сканирующий атомно-силовой микроскоп (АСМ), который позволяет изучить непроводящие вещества, микроскоп на магнитных силах, дающий возможность учить магнитные характеристики поверхности.

Все произнесенное выше о СТМ позволяет сделать последующее заключение: «Принцип деяния СТМ так прост, а потенциальные способности так значительны, что нереально предсказать его воздействие на науку и технику даже наиблежайшего грядущего».

СКАНИРУЮЩИЙ ТУННЕЛЬНЫЙ МИКРОСКОП - прибор для изучения поверхности твёрдых электропроводящих тел, основанный на сканировании металлич. острия над поверхностью образца на расстоянии . Такое расстояние достаточно мало для туннелирования электронов через контакт, т.е. для протекания туннельного тока j 1-10 нА между остриём и образцом, при разности потенциалов V между ними от единиц мВ до неск. В (в зависимости от материалов электродов и целей). При этом цепь обратной связи поддерживает значение j постоянным, соответственно изменяя z. Синхронная со сканированием запись сигнала обратной связи V z (на двухкоординатном самописце - в виде кривых, на экране телевиз. трубки - в виде карты и т. п.) представляет собой увеличенную запись профиля поверхности постоянного туннельного тока j(x, у) . Она совпадает с геом. поверхностью образца S(x, у) , если высота потенц. барьера (работа выхода )электронов одинакова по всей поверхности S , поскольку , где. В ином случае распределение может быть получено путём модуляции расстояния на частоте, более высокой, чем полоса пропускания цепи обратной связи и измерения возникающей на этой частоте модуляции j, амплитуда к-рой пропорциональна Т. о., в результате сканирования острия над участком исследуемой поверхности получаются одновременно её профиль S(x, у )и распределение работы выхода

С. т. м. изобретён Г. Биннингом и Г. Рорером в 1982 . Увеличение его определяется отношением размеров записи кадра (на бумаге или экране трубки) к размерам сканируемого участка поверхности, последние могут составить от единиц до десятков мкм. Разрешающая способность микроскопа по х, у достигает ~ 1, а по z порядка 0,01. Прибор может работать в , газе или жидкости, поскольку z имеет величину порядка межатомных расстояний в жидкости. Выбор среды определяется конкретной задачей, прежде всего условиями подготовки и поддержания чистоты (или сохранности) образца. Малая величина l и низкая энергия туннелирующих электронов исключают опасность повреждения образца током. Длительность записи одного кадра от ~ 0,03 с до 30 мин.

Рис. 1. Схема устройства туннельного микроскопа: V z - напряжение обратной связи, регулирующее величину z: пунктир - траектория острия, записываемая регистрирующей системой при движении острия над линией L;- сглаженная запись ступеньки; В - запись участка С с пониженной работой выхода; - модуляция r с целью определения работы выхода .

Схема устройства С. т. м. приведена на рис. 1. Пьезоэлектрич. пластины Р х, Р у, Р z свободными концами (вне рис. 1) закреплены на станине прибора и при приложении к ним электрич. двигают остриё вдоль соответствующей координаты за счёт собств. деформации (пьезодвигатели). Устройства сближения образца и острия до малого расстояния, перекрываемого пьезодвигателем, осуществлены в разл. вариантах . Блок-схема туннельного микроскопа приведена на рис. 2.

Атомная структура поверхности свежего скола монокристалла графита (долго остающегося чистым на воздухе) часто служит в качестве тест-объекта (рис. 3). Это фотография экрана телевиз. трубки, представляющая собой результат сканирования образца, при к-ром сигнал обратной связи V z модулирует яркость пятна, перемещающегося по кадру. Светлые пятна - атомы С, выступающие над ср. плоскостью поверхности, тёмные места - углубления между ними.

Рис. 2. Блок-схема туннельного микроскопа: У - усилитель туннельного тока; ОС - схема обратной связи; Д - пьезодвигатель острия; РО - устройство регистрации и обработки данных .

Рис. 3. Атомная структура поверхности ориентированного пиролитического монокристалла графита .

Одно из первых исследований - изучение реконструиров. структуры поверхности (111) монокристалла Si: на рис. 4 границы элементарной ячейки (7 X 7) показаны ромбом, одна сторона к-рого лежит на ступени высотой в один слой атомов . При меньшей разрешающей способности (~10) можно изучать состояние поверхности образца на участках большего размера; на рис. 5 показан записанный на двухкоординатном самописце профиль обработанной поверхности (100) кристалла Si (применённого в МДП-структуре для исследования квантового Холла эффекта ).

Рис. 4. Атомная структура реконструированной поверхности (111) монокристалла Si .

Рис. 5. Поверхность (100) монокристалла Si, обработанная по высшему классу точности .

Успех С. т. м. вызвал появление аналогичных методов исследования поверхностей посредством электрич., световых и др. датчиков. Среди них наиб. интересен сканирующий атомно-силовой микроскоп , основанный на измерении сил, действующих на микроскопия, алмазное остриё, находящееся на расстоянии ~ 3-110 от поверхности образца (к-рый может быть ); остриё укрепляется на чувствит. пружине, деформации к-рой измеряются при помощи С. т.м. .

Наиб. важные области применения С. т. м.: исследования атомного строения поверхностей, металлических, сверхпроводящих и полупроводниковых структур, явлений адсорбции , и поверхностных хим. процессов, структуры молекул и биол. объектов, технол. исследования в области микро- и субмикроэлектроники, плёночных покрытий и обработки поверхностей; применение С. т. м. как инструмента обработки поверхностей в субмикроскопич. масштабе и т. д.

Лит.: 1) Binning G., Rohrer H., Scanning tunneling microscopy, «Helv. Phys. Acta», 1982, v. 55, № 6, p. 726; 2) Э д е л ь м а н В. С., Сканирующая туннельная микроскопия , «ПТЭ», 1989, № 5 , с. 25; его же, Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии, «ПТЭ», 1991, № 1, с. 24; 3) X а й к и н М. С. и др., Сканирующие туннельные микроскопы, «ПТЭ», 1987, № 4, с. 231; 4) В е с k e r R. S. и др., Tunneling images of atomic steps on the Si (111) 7 x 7 surface, «Phys. Rev. Lett.», 1985, v. 55, № 19, p. 2028; 5) X а й к и н М. С. и др., Сканирующая туннельная микроскопия границы раздела Si - SiO 2 в МДП-структуре, «Письма в ЖЭТФ», 1986, т. 44, . № 4, с. 193. М. С. Хайкин .

Принцип работы СТМ основан на явлении туннелирования электронов через узкий по-тенциальный барьер между металлическим зондом и проводящим образцом во внешнем электрическом поле (Рисунок 1).

В СТМ зонд подводится к поверхности образца на расстояния в несколько ангстрем. При этом образуется туннельно-прозрачный потенциальный барьер, величина которого определяется, в основном, значениями работы выхода электронов из материала зонда и образца. При качественном рассмотрении барьер можно считать прямоугольным с эффективной высотой, равной средней работе выхода материалов:


Рисунок 1. - Схема туннелирования электронов через потенциальный барьер в туннельном микроскопе. - амплитуда волновой функции электрона; - амплитуда волновой функции электрона, прошедшего сквозь барьер; ?Z - ширина барьера.

Как известно из квантовой механики , вероятность тунелирования электрона (коэффициент прохождения) через одномерный барьер прямоугольной формы равна

где - амплитуда волновой функции электрона, движущегося к барьеру; - амплиту-да волновой функции электрона, прошедшего сквозь барьер; K - константа затухания волновой функции в области, соответствующей потенциальному барьеру; ?Z - ширина барьера. Для туннельного контакта двух металлов константу затухания можно представить в виде

где m - масса электрона, - средняя работа выхода электрона, h - постоянная Планка.

При приложении к туннельному контакту разности потенциалов V между зондом и образцом появляется туннельный ток (Рисунок 2).

Рисунок 2 - Энергетическая диаграмма туннельного контакта двух металлов. , - уровни Ферми зонда и образца

В процессе туннелирования участвуют, в основном, электроны с энергией в окрестности уровня Ферми. В случае контакта двух металлов выражении для плотности туннельного тока (в одномерном приближении) было получено в работе :

Где параметры и задаются следующими выражениями

При условии малости напряжения смещения (), выражение для плотности тока можно представить в более простом виде. Линеаризуя вторую экспоненту в выражении (2.4) по параметру, получаем

Наконец, пренебрегая членом по сравнения с, выражение для плотности тока можно записать следующим образом:

Поскольку экспоненциальная зависимость очень сильная, то для оценок и качественных рассуждений часто пользуются упрощенной формулой

в которой величина) считается не зависящей от изменения расстояния зонд-образец. Для типичных значений работы выхода () значение константы затухания k = 2 , так что при изменении?Z на величина тока меняется на порядок. Реальный туннельный контакт в СТМ не является одномерным и имеет более сложную геометрию, однако основные черты туннелирования, а именно экспоненцальная зависимость тока от расстояния зонд-образец, сохраняются также и в более сложных моделях, что подтверждается экспериментально.

Для больших напряжений смещения () из выражения (2.4) получается хорошо известная формула Фаулера-Нордгейма для полевой эмиссии электронов в вакуум:

Экспоненциальная зависимость туннельного тока от расстояния (2.9) позволяет осуществлять регулирования состояния между зондом и образцом в туннельном микроскопе с высокой точностью. СТМ представляет собой электромеханическую систему с отрицательной обратной связью. Система обратной связи поддерживает величину туннельного тока между зондом и образцом на заданном уровне (), выбираемом оператором. Контроль величины туннельного тока, а следовательно, и расстояние зонд-поверхность осуществляется посредством перемещения вдоль оси Z с помощью пьезоэлектрического элемента (Рисунок 3).

Рисунок 3. - Упрощенная схема организации обратной связи по туннельному току

Изображение рельефа поверхности в СТМ формируется двумя методами. По методу постоянного туннельного тока (Рисунок 4(а)) зонд перемещается вдоль поверхности, осуществляя растровое сканирование; при этом изменение напряжение на Z-электроде пьезоэлемента в цепи обратной связи (с большой точностью повторяющее рельеф поверхности образца) записывается в память компьютера в виде функции, а затем воспроизводится средствами компьютерной графики.


Рисунок 4. - Формирование СТМ изображения поверхности по методу постоянного туннельного тока (а) и постоянного среднего расстояния

При исследовании атомарно гладких поверхностей часто более эффективным оказывается получение СТМ изображение поверхности по методу постоянной высоты. В этом случае зонд перемещается над поверхностью на расстоянии нескольких ангстрем, при этом изменения туннельного тока регистрируются в качестве СТМ изображения поверхности (Рисунок 4(б)). Сканирование производится либо при отключенной ОС, либо со скоростями, превышающими скорость реакции ОС, так что ОС отрабатывает только плавные изменения рельефа поверхности. В данном способе реализуется очень высокие скорости сканирования и высокая частота получения СТМ изображений, что позволяет вести наблюдение за изменениями, происходящими на поверхности, практически в реальном времени.

Высокое пространственное разрешение СТМ определяется экспоненциальной зависимостью туннельного тока от расстояния до поверхности. Разрешение в направлении по нормали к поверхности достигает долей ангстрема. Латеральное же разрешение зависит от качества зонда и определяется, в основном, не макроскопическим радиусом кривизны кончика острия, а его атомарной структурой. При правильной подготовке зонда на его кончике с большой вероятностью находится либо одиночный выступающий атом, либо небольшой кластер атомов, который локализует его на размерах, много меньших, чем характерный радиус кривизны острия. Действительно, туннельный ток протекает между поверхностными атомами образца и атомами зонда. Атом, выступающей над поверхностью зонда, находится ближе к поверхности на расстояние, равное величине периода кристаллической решетки. Поскольку зависимость туннельного тока от расстояния экспоненциальная, то ток в этом случае течет, в основном, между поверхностью образца и выступающим атомом на кончике зонда.

Рисунок 5. - Реализация атомарного разрешения в сканирующем туннельном микроскопе

С помощью таких зондов удается получать пространственное разрешение вплоть до атомарного, что продемонстрировано многими исследовательскими группами на образцах из различных материалов.

В настоящее время существуют приборы, позволяющие отображать отдельные атомы: полевой ионный микроскоп и просвечивающий электронный микроскоп высокого разрешения. Однако оба они имеют существенные ограничения по применимости, связанные со специфическими требованиями к форме образцов. В первом случае образцы должны иметь форму острых игл из проводящего материала с радиусом закругления не более 1000 Е, а во втором – тонких полосок толщиной менее 1000 Е. Поэтому изобретение в 1982 году Г. Биннигом и Г. Рорером, работающим в филиале компании ИБМ в Цюрихе, сканирующего туннельного микроскопа, не накладывающего ограничений на размеры образцов, реально открыло двери в новый микроскопический мир.

СТМ – первый из семейства зондовых микроскопов. Он стал первым устройством, давшим реальные изображения поверхностей с разрешением до размера атома.

Основное приложение СТМ – это измерение топографии. Именно благодаря своей чрезвычайно высокой чувствительности СТМ способен формировать изображения поверхностей с субангстремной точностью по вертикали и атомным латеральным (т.е. в горизонтальном направлении) разрешением.

Принцип работы СТМ . По своей природе электрон обладает как волновыми, так и корпускулярными свойствами. Расчеты показывают, что волновые функции электронов в атоме отличны от нуля и за пределами размера самого атома. Поэтому при сближении атомов волновые функции электронов перекрываются раньше, чем начинает существенно сказываться действие межатомных сил. Появляется возможность перехода электронов от одного атома к другому. Таким образом, возможен обмен электронами и между двумя телами, сближенными без соприкосновения, то есть без механического контакта.

Для обеспечения направленного движения электронов (электрического тока) между такими телами необходимо выполнение двух условий:

У одного тела должны быть свободные электроны (электроны проводимости), а у другого – незаполненные электронные уровни, куда могли бы перейти электроны;



Между телами требуется приложить разность потенциалов, и ее величина несоизмеримо мала в сравнении с той, что требуется для получения электрического разряда при пробое воздушного диэлектрического зазора между двумя телами.

Электрический ток, возникающий при заданных условиях, объясняется туннельным эффектом и называется туннельным током.

В процессе сканирования игла движется вдоль образца, туннельный ток поддерживается стабильным за счет действия обратной связи, и удлинение следящей системы меняется в зависимости от топографии поверхности. Такие изменения фиксируются, и на их основе строится карта высот.

Практически, однако, удобнее измерять вариации электрического напряжения, которое подается на пьезоэлемент, удерживающий иглу на фиксированном расстоянии от исследуемой поверхности. Любое изменение этого расстояния вызывает либо уменьшение, либо увеличение управляющего напряжения. Это и дает информацию о рельефе поверхности, которую легко можно ввести в ЭВМ, передать по каналам связи, вывести на экран дисплея и на другие периферийные устройства. Изображение атомного рельефа поверхности получается весьма наглядным.

При работе СТМ расстояние между объектом и зондом L ≈ 0,3...1нм, поэтому вероятность нахождения между ними молекул воздуха при нормальных атмосферных условиях очень мала, т.е. протекание туннельного тока происходит в «вакууме».

Экспоненциальная зависимость туннельного тока I от величины расстояния Z определяет высокую чувствительность измерений. Считается, что с помощью туннелирования можно измерить объекты размером до 0,001 нм.

Для получения СЗМ изображения осуществляют специальным образом организованный процесс сканирования образца. При сканировании зонд вначале движется над образцом вдоль определенной линии (строчная развертка), при этом величина сигнала на исполнительном элементе, пропорциональная рельефу поверхности, записывается в память компьютера.

Затем зонд возвращается в исходную точку и переходит на следующую строку сканирования, и процесс повторяется вновь. Записанный таким образом при сканировании сигнал обратной связи обрабатывается компьютером, и затем СЗМ изображения рельефа поверхности Z = f (x , y ) строится с помощью средств компьютерной графики. Наряду с исследованием рельефа поверхности, зондовые микроскопы позволяют изучать различные свойства поверхности: механические, электрические, магнитные, оптические и многие другие.

Любой механический привод весьма груб, поэтому перемещениями иглы на субатомные расстояния управляют с помощью пьезоэффекта. Керамическая пьезотрубка при подаче на ее электроды управляющего напряжения меняет свою форму и размеры, что позволяет в зависимости от сигнала перемещать иглу по трем координатам. Насколько велика чувствительность микроманипулятора, можно судить по таким цифрам: при изменении напряжения на 1 В игла смещается на величину порядка двух-трех нанометров. Ведя таким образом иглу над поверхностью рельефа, довольно просто получить серию электрических кривых, которые с высокой степенью точности будут описывать характер поверхности.

В зависимости от измеряемого параметра – туннельного тока или расстояния между иглой и поверхностью – возможны два режима работы сканирующего туннельного микроскопа.

В режиме постоянной высоты острие иглы перемещается в горизонтальной плоскости над образцом, а ток туннелирования изменяется в зависимости от расстояния до него. Информационным сигналом в этом случае является величина тока туннелирования, измеренная в каждой точке сканирования поверхности образца. На основе полученных значений туннельного тока строится образ топографии.

В режиме постоянного тока система обратной связи микроскопа обеспечивает постоянство тока туннелирования путем подстройки расстояния «игла-образец» в каждой точке сканирования. Она отслеживает изменения туннельного тока и управляет напряжением, приложенным к сканирующему устройству, таким образом, чтобы компенсировать эти изменения. Другими словами, при увеличении тока система обратной связи отдаляет зонд от образца, а при уменьшении – приближает его. В этом режиме изображение строится на основе данных о величине вертикальных перемещений сканирующего устройства.

Оба режима имеют свои достоинства и недостатки. В режиме постоянной высоты можно быстро получить результаты, но только для относительно гладких поверхностей. В режиме постоянного тока можно с высокой точностью измерять нерегулярные поверхности, но измерения занимают больше времени.

Интерес к СТМ объясняется его уникальным разрешением, позволяющим проводить исследования на атомном уровне. При этом для работы микроскопа не обязательно требуется высокий вакуум, в отличие от электронных микроскопов других типов. Все СТМ можно разделить на две основные группы: работающие на воздухе (или в другой среде) и в условиях сверхвысокого вакуума. Выделяют также низкотемпературные СТМ, работающие в условиях криогенных температур.

Сканирующие зондовые микроскопы позволяют осуществлять три способа исследования поверхностей, такие как:

Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ);

Сканирующая силовая микроскопия (ССМ);

Близкопольная сканирующая микроскопия (БСМ).

Схема работы сканирующего туннельного микроскопа:
control voltages of piezotube ;
piezoelectric tube with electrodes - трубка с электродами;
tunneling current amplifier - амперметр для измерения величины туннельного тока ;
distance control and scanning unit - модуль для перемещения иглы и контроля расстояния игла-образец;
tip - игла;
sample - образец, карту рельефа которого требуется построить;
tunneling voltage ;
data processing and display - модуль для обработки результатов измерений и вывода карты рельефа

Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ, англ. STM - scanning tunneling microscope ) - вариант сканирующего зондового микроскопа , предназначенный для измерения рельефа проводящих поверхностей с высоким пространственным разрешением.

Принцип работы

В СТМ острая металлическая игла подводится к образцу на расстояние нескольких ангстрем (0.1 нм ). При подаче на иглу относительно образца небольшого потенциала возникает туннельный ток . Величина этого тока экспоненциально зависит от расстояния образец-игла. Типичные значения силы тока - 1-1000 при расстояниях образец-игла около 1 . Сканирующий туннельный микроскоп первый из класса сканирующих зондовых микроскопов ; атомно-силовой и сканирующий ближнепольный оптический микроскопы были разработаны позднее.

В процессе сканирования игла движется вдоль поверхности образца, туннельный ток поддерживается стабильным за счёт действия обратной связи, и показания следящей системы меняются в зависимости от топографии поверхности. Такие изменения фиксируются, и на их основе строится карта высот. Другая методика предполагает движение иглы на фиксированной высоте над поверхностью образца. В этом случае фиксируется изменение величины туннельного тока и на основе данной информации идёт построение топографии поверхности .

Устройство

Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) включает следующие элементы:

  • зонд (иглу),
  • систему перемещения зонда относительно образца по двум (X-Y) или трём (X-Y-Z) координатам,
  • регистрирующую систему.

Регистрирующая система фиксирует значение функции, зависящей от величины тока между иглой и образцом, либо перемещения иглы по оси Z. Обычно регистрируемое значение обрабатывается системой отрицательной обратной связи, которая управляет положением образца или зонда по одной из координат (Z). В качестве системы обратной связи чаще всего используется ПИД-регулятор . Ограничения на использование метода накладываются, во-первых, условием проводимости образца (поверхностное сопротивление должно быть не больше 20 Ом /см ² ), во-вторых, условием «глубина канавки должна быть меньше её ширины», потому что в противном случае может наблюдаться туннелирование с боковых поверхностей. Но это только основные ограничения. На самом деле их намного больше. Например, технология заточки иглы не может гарантировать одного острия на конце иглы, а это может приводить к параллельному сканированию двух разновысотных участков. Кроме ситуации глубокого вакуума , во всех остальных случаях мы имеем на поверхности осаждённые из воздуха частицы, газы и т. д. Технология грубого сближения также оказывает колоссальное влияние на действительность полученных результатов. Если при подводе иглы к образцу мы не смогли избежать удара иглы о поверхность, то считать иглу состоящей из одного атома на кончике пирамиды будет большим преувеличением.

История создания

Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) в современном виде изобретен в 1981 году (принципы этого класса приборов были заложены ранее другими исследователями)